Fabbricata al Centro INPHOTEC dell’Istituto TeCIP una struttura dimostrativa in resit ad alta risoluzione
Un aspetto molto importante nella trasmissione e trasformazione del segnale ottico attraverso un circuito ottico integrato è l'efficienza di accoppiamento nella connessione tra la fibra ottica e il dispositivo planare. Uno dei metodi per realizzare accoppiatori ottici efficienti, per esempio nell'ottica su silicio, è quello di rastremare la guida d'onda nella parte terminale verso la fibra ottica, dalla larghezza normale (attorno ai 500 nm) fino a dimensioni molto piccole, idealmente pochi nanometri, più realisticamente qualche decina di nanometri. In questa maniera, il modo ottico trasmesso all'interno della fibra viene più facilmente adattato a quello che si propaga nella guida d'onda, e viceversa. In questa prospettiva, è estremamente importante disporre di processi tecnologici in grado di realizzare tali strutture in maniera riproducibile ed affidabile.
Nel Centro di Fotonica Integrata INPHOTEC dell’Istituto TeCIP, nell'ambito dello sviluppo della piattaforma di comunicazioni 5G, nell'impostazione e ottimizzazione delle tecnologie di fotonica in silicio, come dimostrazione delle capacità fabbricative, è stata definita mediante litografia a fascio elettronico una struttura in resist ad alta risoluzione, con una dimensione minima di 55nm su un intero wafer da 6 pollici. Questo è il primo passo da compiere per poter usare la struttura in resist come maschera per il successivo processo di attacco (etching), che trasferirà la geometria del progetto nel substrato di silicio.
Ulteriore lavoro verrà svolto per ottenere dimensioni ancora inferiori e possibilmente esplorare geometrie diverse che potrebbero fornire efficienze di accoppiamento anche maggiori.
